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碳化硅单晶炉体系TDL60P
编号:SN20150801142150212
种别:碳化硅晶体生长炉
  • 产物概述
  • 规格参数
  • 效劳支撑

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    重要用于半导体和LED行业。接纳中频感到加热体式格局,物理气相传输法发展优良光学晶体。


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    本体系接纳单室立式双层水冷不锈钢构造。由炉膛、真空得到及丈量体系、籽晶杆拉送体系、坩埚杆拉送体系、感到加热体系、电控体系等构成。

    技术指标

    型号

    TDL60P

    炉内真空度

    极限真空

    6.6×10-5Pa

    体系抽速

    60分钟内真空度<2×10-3Pa(短时间袒露大气并充入枯燥氮气最先抽气

    体系漏率

    停泵关机12小时后真空度≤10Pa

    炉体

    主炉膛

    尺寸Φ600×800 mm

    副炉膛

    尺寸Ф300×400mm

    转速

    0~30rpm

    提推速度一连可调局限

    0.06~6㎜/h

    快提拉速度一连起落可调

    ≥50㎜/min

    有用路程

    390㎜

    坩埚传动机构

    转速

    0~30rpm

    升速局限

    0.06~6㎜/h

    快提拉速度一连起落可调

    ≥50㎜/min

    有用路程

    560㎜

    额定总功率

    55KW

    轮回火用量

    3m3/h

    真空设置

    份子泵、机器泵、插板阀

    占地面积

    主机

    1500×2500mm2

    电控柜

    700×700mm2(一个)

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