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碳化硅单晶炉体系TDL85P
编号:SN20150801141615675
种别:碳化硅晶体生长炉
  • 产物概述
  • 规格参数
  • 效劳支撑

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    重要用于半导体和LED行业。接纳中频感到加热体式格局,物理气相传输法发展优良光学晶体。


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    本体系由堆积真空室、感到加热台体系、进样室、主动收样体系、气路体系、抽气体系、安装机台、真空丈量及电控体系等局部构成。

     

    技术指标

     

    型号 

    TDL85P 

    炉内真空度

    极限真空

    9.0×10-5Pa

    拉伸机构活动时

    1.0×10-4Pa

    体系漏率

    停泵关机24小时后真空度≤5Pa

    炉体

    堆积室

    筒形立式构造,尺寸Φ900×1000 mm

    进样室

    尺寸Ф300×300mm

    主动收样机构

    慢速档速度局限

    0.06~6㎜/h

    档速度局限

    ≥50㎜/min

    转速局限

    0~30rpm

    有用路程

    500㎜

    额定总功率

    35KW

    轮回火用量

    3m3/h

    真空设置

    份子泵、罗茨泵、机器泵、插板阀

    占地面积

    2700×1200×3000mm3(露电源)

     


     

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